PDRQLAKCDF12-00 vs K4RAH165VB-BCQK 비교
다음의 상세 나란히 비교: PDRQLAKCDF12-00 제조: Samsung Electronics 및 K4RAH165VB-BCQK 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Samsung Electronics
PDRQLAKCDF12-00 - 16Gb DDR5-7200 SDRAM | Samsung Electronics
PDRQLAKCDF12-00 ✓ 활성
사양 비교
| 파라미터 | PDRQLAKCDF12-00 | K4RAH165VB-BCQK |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $13.60 | $0.00 |
| 메모리 유형 | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 1G x 16 | — |
| 데이터 속도 | 7200 Mbps per pin | 4800 Mbps |
| Speed Bin | DDR5-7200 | — |
| Operating Voltage | 1.1 V | — |
| 패키지 | 102-ball FBGA | 106-ball FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Generation | DDR5 (improved from 6400 Mbps generation) | — |
| 인터페이스 | JEDEC DDR5 | — |
| Package Height | [DATA_NEEDED: package height] | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| tCK / Cycle Time | [DATA_NEEDED: clock cycle time] | — |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| 메모리 크기 | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| Error Correction | — | On-die ECC |
| 특징 | — | Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration |
| Memory Format | — | DRAM (volatile) |
| Packaging | — | Tray |
| 수명 주기 상태 | — | Active |
| Unit Price | — | [DATA_NEEDED: unit price] |