QPM1002SR vs QPM1002 비교

다음의 상세 나란히 비교: QPM1002SR 제조: Qorvo 및 QPM1002 제조: Qorvo. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 QPM1002SR QPM1002
브랜드 Qorvo Qorvo
카테고리 RF Modules RF Modules
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.00 $96.00
기능 GaN T/R Front-End Module (T/R switch + LNA + PA) —
Frequency Range 8.5 GHz to 10.5 GHz 8.5 GHz to 10.5 GHz
Band X-Band —
Receive Gain 25 dB —
Receive Noise Figure 2.2 dB —
Transmit Small-Signal Gain 33 dB —
Saturated Output Power 3 W —
Power Added Efficiency (PAE) 32% —
Process Technology Qorvo QGaN25 0.25 um GaN-on-SiC QGaN25 0.25 um GaN-on-SiC
패키지 5 x 5 mm QFN surface mount, over-mold encapsulant 5 x 5 mm QFN, over-mold encapsulant, surface mount
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Die-Attach High thermal conductivity die-attach process —
Primary Application X-Band phased array radar —
동작 온도 [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
공급 전압 [DATA_NEEDED: Supply Voltage Range] [DATA_NEEDED: Drain Supply Voltage]
Input/Output Return Loss [DATA_NEEDED: Return Loss Values] —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS Compliance Status]
Product Type — GaN MMIC Front-End Module (T/R Module)
Integrated Functions — T/R switch + LNA + PA
Rx Small-Signal Gain — 25 dB
Rx Noise Figure — 2.2 dB
Tx Small-Signal Gain — 33 dB
Saturated Output Power (Psat) — 3 W
Power-Added Efficiency (PAE) — 32%
Max ANT Port Input Power — 2 W
열 저항 — [DATA_NEEDED: Theta Jc]

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