QPM1002SR vs QPM1002 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von QPM1002SR von Qorvo und QPM1002 von Qorvo. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter QPM1002SR QPM1002
Marke Qorvo Qorvo
Kategorie RF Modules RF Modules
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,00 $96,00
Funktion GaN T/R Front-End Module (T/R switch + LNA + PA) —
Frequency Range 8.5 GHz to 10.5 GHz 8.5 GHz to 10.5 GHz
Band X-Band —
Receive Gain 25 dB —
Receive Noise Figure 2.2 dB —
Transmit Small-Signal Gain 33 dB —
Saturated Output Power 3 W —
Power Added Efficiency (PAE) 32% —
Process Technology Qorvo QGaN25 0.25 um GaN-on-SiC QGaN25 0.25 um GaN-on-SiC
Gehäuse 5 x 5 mm QFN surface mount, over-mold encapsulant 5 x 5 mm QFN, over-mold encapsulant, surface mount
Montageart Surface Mount Surface Mount
Die-Attach High thermal conductivity die-attach process —
Primary Application X-Band phased array radar —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Versorgungsspannung [DATA_NEEDED: Supply Voltage Range] [DATA_NEEDED: Drain Supply Voltage]
Input/Output Return Loss [DATA_NEEDED: Return Loss Values] —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS Compliance Status]
Product Type — GaN MMIC Front-End Module (T/R Module)
Integrated Functions — T/R switch + LNA + PA
Rx Small-Signal Gain — 25 dB
Rx Noise Figure — 2.2 dB
Tx Small-Signal Gain — 33 dB
Saturated Output Power (Psat) — 3 W
Power-Added Efficiency (PAE) — 32%
Max ANT Port Input Power — 2 W
Wärmewiderstand — [DATA_NEEDED: Theta Jc]

Datenblätter & Ressourcen

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