W634GU6RB-09 vs W634GU6RB09I 비교
다음의 상세 나란히 비교: W634GU6RB-09 제조: Winbond 및 W634GU6RB09I 제조: Winbond. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | W634GU6RB-09 | W634GU6RB09I |
|---|---|---|
| 브랜드 | Winbond | Winbond |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $9.69 | $6.00 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 메모리 크기 | 4Gbit (512M x 8) | 4Gbit (256M x 16) |
| 공급 전압 | 1.35V | 1.35 V |
| Clock Frequency | 1.067 GHz | 1.067 GHz |
| 데이터 속도 | 2133 Mbps | — |
| Access Time | 20 ns | 20 ns |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| 패키지 | 96-VFBGA (7.5x13 mm) | 96-VFBGA (7.5x13 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | -40°C to 95°C | -40C to +95C |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| 메모리 구성 | 512M x 8 | 256M x 16 |
| Terminal Pitch | [DATA_NEEDED: Terminal Pitch] | — |
| 핀 수 | 96 | — |
| 데이터 버스 폭 | — | 16 bit |
| CAS 레이턴시 | — | 20 ns |
| Lead-Free | — | Yes |
| Voltage - I/O | — | 1.35 V |