W634GU6RB11J vs W634GU6RB09J 비교
다음의 상세 나란히 비교: W634GU6RB11J 제조: Winbond 및 W634GU6RB09J 제조: Winbond. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | W634GU6RB11J | W634GU6RB09J |
|---|---|---|
| 브랜드 | Winbond | Winbond |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $9.50 | $8.10 |
| 메모리 유형 | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| 메모리 크기 | 4Gbit (256M x 16) | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| 데이터 속도 | 1866 MT/s | 1066 MHz (DDR3L-2133) |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| 공급 전압 | 1.35V | 1.35V |
| CAS 레이턴시 | 20 ns | 20 ns |
| 패키지 | 96-VFBGA (7.5x13 mm) | 96-VFBGA (7.5x13mm) |
| 동작 온도 | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C (Tc) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| 할로겐 프리 | — | Yes |
| 메모리 구성 | — | 256M x 16 |
| Burst Length | — | 8 and 4 |
| 핀 수 | — | 96 |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |