IAUT300N08S5N011ATMA1 vs IAUS300N08S5N011TATMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IAUT300N08S5N011ATMA1 disebabkan oleh Infineon dan IAUS300N08S5N011TATMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Infineon
IAUT300N08S5N011ATMA1 IAUT300N08S5N011ATMA1 - 80V N-Ch 1.1mOhm Automotive MOSFET

IAUT300N08S5N011ATMA1 - 80V N-Ch 1.1mOhm Automotive MOSFET

IAUT300N08S5N011ATMA1 ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IAUT300N08S5N011ATMA1 IAUS300N08S5N011TATMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS 5 (trench MOSFET) OptiMOS-5 (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (V_DS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) 300 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) 410 A (Tj) —
R_DS(on) max 1.10 mOhm at V_GS=10 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3.8 V 3 V (max)
Total Gate Charge (Q_g) 231 nC at V_GS=10 V —
Input Capacitance (C_iss) 16.25 nF —
Output Capacitance (C_oss) 2.6 nF —
Reverse Transfer Capacitance (C_rss) 130 pF —
Power Dissipation (P_D) 375 W at T_C=25C —
Gambaran Suhu Operasi -55C to +175C -55 C to +175 C (Tj)
Kemasan PG-HSOF-8-1 (TOLL 10x12 mm) PG-HDSOP-16-2 (HDSOP-16)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Aras MSL 1 —
Qualification Automotive (AEC-Q101) —
Continuous Drain Current (I_D, Tj) — 300 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 375 W
R_DS(on) Max @ V_GS=10V — 1.1 mOhm
Total Gate Charge (Q_G) @ 10V — 231 nC
Output Capacitance (C_OSS) — 130 pF (typ)
Reverse Transfer Capacitance (C_RSS) — 16.25 nF (typ)
Number of Channels — 1
Status RoHS — Compliant
Automotive Qualified — Yes (Infineon automotive part)

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga