IQE012N03LM5CGSCATMA1 vs ISC015N06NM5LF2ATMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IQE012N03LM5CGSCATMA1 disebabkan oleh Infineon dan ISC015N06NM5LF2ATMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Infineon
IQE012N03LM5CGSCATMA1 IQE012N03LM5CGSCATMA1 - 30V 1.15mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE012N03LM5CGSCATMA1 - 30V 1.15mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE012N03LM5CGSCATMA1 ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IQE012N03LM5CGSCATMA1 ISC015N06NM5LF2ATMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench MOSFET) OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) @ Ta 34 A —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc 224 A —
Maximum RDS(on) @ VGS=10V 1.15 mΩ —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 107 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (typ, per Merlin listing) 3 V
Kemasan PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 × 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) PG-TDSON-8 FL (5x6 mm)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Suhu Hubungan Operasi -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C
Aras MSL 1 (per JEDEC J-STD-020, floor life unlimited) —
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 32 A
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 275 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 217 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.55 mΩ
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) — 1.3 mΩ
Gate-Source Voltage Rating — ±20 V
Reverse Recovery Charge (Qrr) — 1.3 nC
Input Capacitance (Ciss) — 6.9 nF
Output Capacitance (Coss) — 1.3 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 55 pF
Total Gate Charge (Qg) — 90 nC
RoHS — Compliant

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga