IQE012N03LM5CGSCATMA1 vs ISC015N06NM5LF2ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IQE012N03LM5CGSCATMA1 توسط Infineon و ISC015N06NM5LF2ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IQE012N03LM5CGSCATMA1 IQE012N03LM5CGSCATMA1 - 30V 1.15mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE012N03LM5CGSCATMA1 - 30V 1.15mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE012N03LM5CGSCATMA1 ✓ فعال
Infineon
ISC015N06NM5LF2ATMA1 ISC015N06NM5LF2ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 Linear FET | Infineon

ISC015N06NM5LF2ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 Linear FET | Infineon

ISC015N06NM5LF2ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IQE012N03LM5CGSCATMA1 ISC015N06NM5LF2ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench MOSFET) OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) @ Ta 34 A —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc 224 A —
Maximum RDS(on) @ VGS=10V 1.15 mΩ —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 107 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (typ, per Merlin listing) 3 V
بسته‌بندی PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 × 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) PG-TDSON-8 FL (5x6 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
دمای اتصال کاری -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020, floor life unlimited) —
وضعیت RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 32 A
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 275 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 217 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.55 mΩ
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) — 1.3 mΩ
Gate-Source Voltage Rating — ±20 V
Reverse Recovery Charge (Qrr) — 1.3 nC
Input Capacitance (Ciss) — 6.9 nF
Output Capacitance (Coss) — 1.3 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 55 pF
Total Gate Charge (Qg) — 90 nC
RoHS — Compliant

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت