IQE012N03LM5CGSCATMA1 vs ISC015N06NM5LF2ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQE012N03LM5CGSCATMA1 tarafından Infineon ve ISC015N06NM5LF2ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IQE012N03LM5CGSCATMA1 IQE012N03LM5CGSCATMA1 - 30V 1.15mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE012N03LM5CGSCATMA1 - 30V 1.15mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE012N03LM5CGSCATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQE012N03LM5CGSCATMA1 ISC015N06NM5LF2ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench MOSFET) OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) @ Ta 34 A —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc 224 A —
Maximum RDS(on) @ VGS=10V 1.15 mΩ —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 107 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (typ, per Merlin listing) 3 V
Paket PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 × 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) PG-TDSON-8 FL (5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020, floor life unlimited) —
RoHS Durumu Compliant —
Lead-Free Yes —
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 32 A
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 275 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 217 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.55 mΩ
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) — 1.3 mΩ
Gate-Source Voltage Rating — ±20 V
Reverse Recovery Charge (Qrr) — 1.3 nC
Input Capacitance (Ciss) — 6.9 nF
Output Capacitance (Coss) — 1.3 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 55 pF
Total Gate Charge (Qg) — 90 nC
RoHS — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin