1ED020I12B2XUMA1 vs 1ED3127MU12FXUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 1ED020I12B2XUMA1 por Infineon e 1ED3127MU12FXUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 1ED020I12B2XUMA1 1ED3127MU12FXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,65 $0,74
Driver Type Single-channel IGBT gate driver, galvanically isolated —
Isolation Technology Coreless transformer (magnetic coupling) —
Isolation Voltage (Vrms) 4500 Vrms —
Number of Channels 1 —
Output Current (typ.) 2 A source / 2 A sink —
Propagation Delay (typ.) 35 ns 15 ns
Supported Switch Voltage Class Up to 1200 V IGBT / SiC MOSFET —
DESAT Protection Yes (programmable threshold) —
Miller Clamp Yes (integrated 2 A clamp FET) —
Input Supply (VCC1) 5 V (logic side) —
Output Supply (VCC2) Unipolar 15 V or bipolar -8.5 V / 15 V —
Encapsulamento PG-DSO-16-15 (300 mil wide-body DSO-16) PG-DSO-8-72 (SOIC-8 wide-body)
Creepage Distance 8 mm —
Temperatura de operação -40 °C to +125 °C —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL MSL-3 (per JEDEC J-STD-020) —
Compliance RoHS compliant —
Função — Single-channel isolated gate driver
Número de saídas — 1
Configuração de saída — High-side / Low-side, Inverting / Non-Inverting
Peak Output Current — 10 A (source/sink)
Continuous Output Current — 9 A
Supply Voltage (VCC2 secondary) — 12 V to 35 V
Supply Voltage (VCC1 primary) — 3 V to 5.5 V
Delay Matching (typ.) — 30 ns
Galvanic Isolation — 3000 Vrms (coreless transformer)
Faixa de temperatura de operação — -40C to +125C
Protection Features — Miller clamp, UVLO, DESAT short-circuit protection
Status RoHS — Compliant
Drives — IGBT, MOSFET, SiC MOSFET

Fichas técnicas e recursos

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