1ED3124MU12HXUMA1 vs 1EDB7275FXUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 1ED3124MU12HXUMA1 por Infineon e 1EDB7275FXUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 1ED3124MU12HXUMA1 1EDB7275FXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,89 $1,68
Product Type Single-channel isolated gate driver IC Single-channel isolated gate driver IC
Manufacturer Family EiceDRIVER Compact 1ED31xxMU12H (X3 compact) —
Peak Output Current (source/sink) 14 A typical —
Configuração de saída Separate source and sink pins —
Galvanic Isolation (rms) 5.7 kV (UL 1577) —
Working Voltage (continuous) 1200 V —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 200 kV/us minimum 300 V/ns (minimum)
Propagation Delay (typ.) 90 ns —
UVLO Threshold 10.5 V —
Isolation Technology Coreless transformer (CT) Coreless transformer (CT) magnetic coupling
Encapsulamento PG-DSO-8-66 (DSO-8 wide-body) PG-DSO-8 (150 mil DSO, 8-pin)
Creepage Distance >8 mm —
Faixa de temperatura de operação -40C to +125C [DATA_NEEDED: full operating temperature range]
Target Switch Types IGBT, power MOSFET, SiC MOSFET —
Recommended Switch Class Up to 2300 V IGBT / SiC modules —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL MSL2 (per JEDEC J-STD-020) —
Status RoHS Compliant Compliant
Topology Supported — High-side / low-side, half-bridge (with two parts)
Isolation Voltage (Viso) — 3000 Vrms
Peak Source Output Current — 5.4 A (typical)
Peak Sink Output Current — 9.8 A (typical)
Propagation Delay — +6 / -4 ns (typical, see datasheet family)
Supported Switch Technologies — Si MOSFET, SiC MOSFET, GaN HEMT
UVLO Protection — Yes (secondary side)
Marking Code — 1B7275A

Fichas técnicas e recursos

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