2ED2103S06FXUMA1 vs 2EDB7259KXUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 2ED2103S06FXUMA1 por Infineon e 2EDB7259KXUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 2ED2103S06FXUMA1 2EDB7259KXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,94 $1,22
Função Half-Bridge Gate Driver —
Configuration Non-Inverting —
Technology High-Voltage Level Shift (SOI) Coreless Transformer Isolation
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
Driven Device Type IGBT, N-Channel MOSFET —
High-Side Offset Voltage (Max) 650 V —
Bootstrap Voltage (Max) 675 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Bootstrap Diode Integrated —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Encapsulamento PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad) 13-LGA (5x5 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -40C to +125C —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Status RoHS Compliant Compliant
Product Type — Isolated Gate Driver IC
Number of Channels — 2
Source Drive Current — 5 A
Sink Drive Current — 9 A
Isolation Voltage — 2500 Vrms
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) — 150 V/ns
Propagation Delay — 38 ns
Tensão de alimentação — 12 V to 18 V
Temperatura de operação — -40C to +125C
Protection Features — UVLO, Short-Circuit, Miller Clamp
Output Stage — Rail-to-rail p-channel sourcing

Fichas técnicas e recursos

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