2ED2103S06FXUMA1 vs 2EDB7259KXUMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: 2ED2103S06FXUMA1 제조: Infineon 및 2EDB7259KXUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 2ED2103S06FXUMA1 2EDB7259KXUMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.94 $1.22
기능 Half-Bridge Gate Driver —
Configuration Non-Inverting —
Technology High-Voltage Level Shift (SOI) Coreless Transformer Isolation
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
Driven Device Type IGBT, N-Channel MOSFET —
High-Side Offset Voltage (Max) 650 V —
Bootstrap Voltage (Max) 675 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Bootstrap Diode Integrated —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
패키지 PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad) 13-LGA (5x5 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 -40C to +125C —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL level] —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Product Type — Isolated Gate Driver IC
Number of Channels — 2
Source Drive Current — 5 A
Sink Drive Current — 9 A
Isolation Voltage — 2500 Vrms
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) — 150 V/ns
Propagation Delay — 38 ns
공급 전압 — 12 V to 18 V
동작 온도 — -40C to +125C
Protection Features — UVLO, Short-Circuit, Miller Clamp
Output Stage — Rail-to-rail p-channel sourcing

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