2ED2103S06FXUMA1 vs 2EDB7259KXUMA1 比較

詳細な並列比較: 2ED2103S06FXUMA1 メーカー: Infineon および 2EDB7259KXUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
2ED2103S06FXUMA1 2ED2103S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2103S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2103S06FXUMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 2ED2103S06FXUMA1 2EDB7259KXUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.94 $1.22
機能 Half-Bridge Gate Driver —
Configuration Non-Inverting —
Technology High-Voltage Level Shift (SOI) Coreless Transformer Isolation
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
Driven Device Type IGBT, N-Channel MOSFET —
High-Side Offset Voltage (Max) 650 V —
Bootstrap Voltage (Max) 675 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Bootstrap Diode Integrated —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
パッケージ PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad) 13-LGA (5x5 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -40C to +125C —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL level] —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Product Type — Isolated Gate Driver IC
Number of Channels — 2
Source Drive Current — 5 A
Sink Drive Current — 9 A
Isolation Voltage — 2500 Vrms
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) — 150 V/ns
Propagation Delay — 38 ns
電源電圧 — 12 V to 18 V
動作温度 — -40C to +125C
Protection Features — UVLO, Short-Circuit, Miller Clamp
Output Stage — Rail-to-rail p-channel sourcing

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