2EDL8124GXUMA1 vs 1EDN7126GXTMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 2EDL8124GXUMA1 por Infineon e 1EDN7126GXTMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 2EDL8124GXUMA1 1EDN7126GXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,98 $0,29
Driver Configuration Half-bridge (high-side + low-side) —
Input Type Non-inverting, TTL-compatible with hysteresis Truly Differential Input (TDI)
Number of Drivers 2 —
Peak Source Current 3 A 1.5 A
Peak Sink Current 4 A 1.5 A
Bootstrap Supply (VBS) Maximum 120 V —
VCC Supply Range [DATA_NEEDED: VCC min/max typical range] —
Isolation Type Junction isolation (JI) —
Bootstrap Diode Integrated —
Propagation Delay (typical) < 50 ns —
Delay Matching Between Channels [DATA_NEEDED: delay matching spec in ns] —
UVLO Present on VCC and VBS —
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range in C] -40C to +125C
Encapsulamento PG-VDSON-8-4 (4 mm x 4 mm) with exposed pad PG-VSON-10-4
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Função — Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET
Configuration — Non-Inverting
Channel Type — Single
Driven Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC max value]
Common-Mode Voltage (CMR) — 200 V
Propagation Delay (Typ.) — [DATA_NEEDED: tpd typical value]
Rise / Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: tr / tf typical value]
Reach — Compliant
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI)

Fichas técnicas e recursos

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