2EDL8124GXUMA1 vs 1EDN7126GXTMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок 2EDL8124GXUMA1 от Infineon и 1EDN7126GXTMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
1EDN7126GXTMA1 1EDN7126GXTMA1 - 1.5A 200V TDI Gate Driver for GaN | Infineon

1EDN7126GXTMA1 - 1.5A 200V TDI Gate Driver for GaN | Infineon

1EDN7126GXTMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр 2EDL8124GXUMA1 1EDN7126GXTMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,98 $0,29
Driver Configuration Half-bridge (high-side + low-side) —
Input Type Non-inverting, TTL-compatible with hysteresis Truly Differential Input (TDI)
Number of Drivers 2 —
Peak Source Current 3 A 1.5 A
Peak Sink Current 4 A 1.5 A
Bootstrap Supply (VBS) Maximum 120 V —
VCC Supply Range [DATA_NEEDED: VCC min/max typical range] —
Isolation Type Junction isolation (JI) —
Bootstrap Diode Integrated —
Propagation Delay (typical) < 50 ns —
Delay Matching Between Channels [DATA_NEEDED: delay matching spec in ns] —
UVLO Present on VCC and VBS —
Диапазон рабочих температур [DATA_NEEDED: operating temperature range in C] -40C to +125C
Корпус PG-VDSON-8-4 (4 mm x 4 mm) with exposed pad PG-VSON-10-4
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Функция — Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET
Configuration — Non-Inverting
Channel Type — Single
Driven Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC max value]
Common-Mode Voltage (CMR) — 200 V
Propagation Delay (Typ.) — [DATA_NEEDED: tpd typical value]
Rise / Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: tr / tf typical value]
Reach — Compliant
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену