2EDN7533RXTMA1 vs 1EDN7146UXTSA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de 2EDN7533RXTMA1 por Infineon e 1EDN7146UXTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | 2EDN7533RXTMA1 | 1EDN7146UXTSA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,55 | $0,82 |
| Função | Dual-channel low-side gate driver | — |
| Number of Channels | 2 | — |
| Input Polarity | Inverting | — |
| Peak Source/Sink Output Current | 5 A | — |
| Output Resistance (Pull-up, typ.) | 0.5 ohm | — |
| Output Resistance (Pull-down, typ.) | 0.3 ohm | — |
| Propagation Delay (typ.) | 19 ns | — |
| Channel-to-Channel Delay Matching | 1.3 ns (typ.) | — |
| Rise/Fall Time | 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load) | — |
| Input Logic Compatibility | LV-TTL | — |
| Input Voltage Tolerance | -12 V to +22 V | — |
| Supply Voltage VDD (recommended) | 4.5 V to 20 V | — |
| Supply Voltage VDD (absolute max) | 25 V | — |
| Under-Voltage Lockout | Yes (per channel) | — |
| Temperatura de junção de operação | -40 C to +150 C | — |
| Encapsulamento | PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad | PG-VSON-1 (6-pin with exposed pad) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Driver Type | — | Single-channel high-side TDI gate driver |
| Maximum Blocking Voltage | — | 200 V |
| Input Configuration | — | Truly differential (TDI) |
| Output Current (Source / Sink) | — | 1.5 A / 2.5 A |
| Propagation Delay | — | [DATA_NEEDED: typical propagation delay ns] |
| Tempo de subida | — | [DATA_NEEDED: typical rise time ns] |
| Tempo de descida | — | [DATA_NEEDED: typical fall time ns] |
| Supply Voltage (VCC) | — | [DATA_NEEDED: VCC range V] |
| Faixa de temperatura de operação | — | -40C to +125C |
| Target Transistor | — | GaN SG HEMT or power MOSFET |
| Nível MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Topology Support | — | Half-bridge, low-side, high-side |