5CSEBA4U19C6N vs 5CSEBA4U19A7N Comparação
Comparação detalhada lado a lado de 5CSEBA4U19C6N por Intel e 5CSEBA4U19A7N por Intel. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
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5CSEBA4U19C6N - Cyclone V SE SoC FPGA, 40K LE, Dual ARM Cortex-A9 | Intel
5CSEBA4U19C6N ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | 5CSEBA4U19C6N | 5CSEBA4U19A7N |
|---|---|---|
| Marca | Intel | Intel |
| Categoria | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $74,50 | $99,90 |
| Family | Cyclone V SE SoC FPGA | Cyclone V SE SoC FPGA |
| Logic Elements | 40,000 (40K LE) | 40 K |
| Hard Processor System (HPS) | Dual-core ARM Cortex-A9 MPCore with CoreSight | — |
| Maximum HPS Clock Frequency | 925 MHz | — |
| Encapsulamento | 484-pin UFBGA / UBGA (19x19 mm) | 484-UBGA (U19), 19x19 mm, 1.0 mm pitch |
| FPGA User I/O | 161 (per Altera product page) | — |
| Process Technology | TSMC 28 nm low-power | — |
| Memory Controller | Hard controller for DDR2 / DDR3 / LPDDR2 | — |
| DSP Blocks | Variable-precision DSP blocks (18x18 multipliers) | — |
| Embedded Memory | M10K memory blocks | 3.4 Mbits (M9K) |
| Encryption Support | AES encryption (per LCSC listing) | — |
| Error Detection | SEU error detection and correction support | — |
| Temperatura de operação | 0C to +85C (commercial grade) | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount (BGA) | Surface Mount (BGA) |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Hard Processor System | — | Dual ARM Cortex-A9 MPCore with CoreSight |
| Adaptive Logic Modules | — | [DATA_NEEDED: ALM count] |
| DSP Blocks (18x18 Multipliers) | — | 224 |
| PLLs | — | [DATA_NEEDED: PLL count] |
| HPS Maximum Application Clock | — | 925 MHz |
| Memory Interfaces | — | DDR3, DDR3L, LPDDR2 (via HPS); soft DDR3/2 in FPGA |
| User I/O | — | 161 |
| Temperatura de junção de operação | — | -40C to +125C (automotive) / -40C to +100C (industrial) |
| Process Node | — | TSMC 28 nm low-power |
| Core Voltage | — | 1.1 V (typical) |
| Nível MSL | — | 3 (168 hours) |