BSC016N06NSATMA1 vs BSC028N06NSTATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC016N06NSATMA1 por Infineon e BSC028N06NSTATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC016N06NSATMA1 BSC028N06NSTATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,65 $0,40
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS™ 5 60V —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, TA) 30 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.6 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 71 nC —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Power Dissipation (TA) 2.5 W 3 W
Power Dissipation (TC) 139 W 100 W
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +150 °C —
Encapsulamento PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8, 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 (unlimited) 1
Status RoHS Compliant Compliant
Gate Drive (recommended) 10 V —
Technology OptiMOS™ 5 MOSFET N-Channel (OptiMOS 5)
Series — OptiMOS 5
Part Number Base — BSC028N06NS
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 2.8 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5 V to 3.5 V
Total Gate Charge Qg — 37 nC @ VGS=10V
Input Capacitance Ciss — 3000 nC [DATA_NEEDED: confirm exact pF from datasheet]
Output Capacitance Coss — 825 pF
Reverse Transfer Capacitance Crss — 56 pF
Temperatura de junção de operação — -55C to +175C
Livre de halogênio — Yes
AEC-Q101 Automotive Qualified — [DATA_NEEDED: confirm from datasheet - this is the NS base, automotive grade may differ]

Fichas técnicas e recursos

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