BSC042NE7NS3GATMA1 vs BSC077N12NS3GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC042NE7NS3GATMA1 por Infineon e BSC077N12NS3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 - 75V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC042NE7NS3GATMA1 - 75V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC042NE7NS3GATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BSC042NE7NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,24 $0,71
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC042NE7NS3GATMA1 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench)
Technology OptiMOS 3 —
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 120 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 19 A 13.4 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A 98 A
RDS(on) max at VGS=10V 4.2 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 1.7 V —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 125 W 139 W
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 1
Status RoHS Compliant Compliant
Part Family — OptiMOS 3 (120 V)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 7.7 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
Temperatura de junção de operação — -55C to +150C
Contagem de pinos — 8
Automotive Grade — Yes (per Infineon part number suffix / datasheet)

Fichas técnicas e recursos

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