BSC042NE7NS3GATMA1 vs BSC077N12NS3GATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC042NE7NS3GATMA1 por Infineon y BSC077N12NS3GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 - 75V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC042NE7NS3GATMA1 - 75V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC042NE7NS3GATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC042NE7NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,24 $0,71
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC042NE7NS3GATMA1 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench)
Technology OptiMOS 3 —
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 120 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 19 A 13.4 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A 98 A
RDS(on) max at VGS=10V 4.2 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 1.7 V —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 125 W 139 W
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C —
Encapsulado PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 1
Estado RoHS Compliant Compliant
Part Family — OptiMOS 3 (120 V)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 7.7 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
Temperatura de unión de funcionamiento — -55C to +150C
Recuento de pines — 8
Automotive Grade — Yes (per Infineon part number suffix / datasheet)

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