BSC0911NDATMA1 vs IPD031N03LGATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC0911NDATMA1 por Infineon e IPD031N03LGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC0911NDATMA1 IPD031N03LGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,46 $0,41
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 25V —
Configuration Dual N-Channel (2 N-CH) —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (ID) 18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 30 A —
Power Dissipation (PD) 1 W —
Encapsulamento PG-TISON-8 (8-PowerTDFN) PG-TO252-3-11 (DPAK-2)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -55C to +150C (junction) -55 °C to +175 °C (junction)
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Technology OptiMOS trench MOSFET MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 3
Gate Threshold (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
RDS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25 °C — 90 A (Tc)
Power Dissipation (Pd) — 94 W (Tc)
RDS(on) Max @ VGS=10V — 3.1 mΩ
RDS(on) Max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ 4.5V]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max]
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) — 4.5 V, 10 V
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical @ 10V Vgs]
Output Charge (Qoss) — Ultra low (per datasheet tagline)
Mounting Tab — Drain (electrically connected)
Avalanche Energy Rated — Yes (per OptiMOS 3 datasheet family)

Fichas técnicas e recursos

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