BSC340N08NS3GATMA1 vs BSC12DN20NS3GATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSC340N08NS3GATMA1 por Infineon e BSC12DN20NS3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 - 200V 11.3A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | BSC340N08NS3GATMA1 | BSC12DN20NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,81 | $0,61 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC340N08NS3GATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 3 (N-Channel Trench) | OptiMOS power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 23 A | 11.3 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 7 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 92 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 34 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Gate-Source Voltage VGS max | +/- 20 V | — |
| Power Dissipation (Tc) | 32 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +150C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-5 |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Nível MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS / Lead-Free | RoHS compliant, lead-free | — |
| Channel Type | Single N-Channel | — |
| Total Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Avalanche Rating | Repetitive avalanche rated | — |
| Product Family | — | OptiMOS 200V |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 50 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold typical] |
| On-Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Status RoHS | — | Compliant |
| Configuration | — | Single N-channel |
| Contagem de pinos | — | 8 |