BSP125H6327XTSA1 vs BSP135H6906XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSP125H6327XTSA1 por Infineon e BSP135H6906XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
BSP135H6906XTSA1 BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BSP125H6327XTSA1 BSP135H6906XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,38 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSP125H6327XTSA1 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology SIPMOS (Small Signal Power MOSFET) SIPMOS (planar high-voltage)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID) 120 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) —
Encapsulamento PG-SOT223-4 (SOT-223-3 + tab) PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+tab)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -55C to +150C (TJ) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Configuration Single —
Channel Mode Enhancement —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 (Unlimited) 1 (unlimited)
Qualification Automotive / Industrial grade —
FET Type — N-Channel Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 120 mA
RDS(on) Max at VGS=0V — 45 Ohm
Power Dissipation (PD) Max — 1.8 W
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(off)) — Depletion mode (normally-on)
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C
Contagem de pinos — 4 (3 leads + drain tab)
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per datasheets.com parametric record)
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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