BSP125H6327XTSA1 vs BSP135H6906XTSA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок BSP125H6327XTSA1 от Infineon и BSP135H6906XTSA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | BSP125H6327XTSA1 | BSP135H6906XTSA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,38 | $0,78 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSP125H6327XTSA1 | — |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | SIPMOS (Small Signal Power MOSFET) | SIPMOS (planar high-voltage) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 120 mA (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W (Ta) | — |
| Корпус | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 + tab) | PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+tab) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Рабочая температура | -55C to +150C (TJ) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Configuration | Single | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Уровень MSL | 1 (Unlimited) | 1 (unlimited) |
| Qualification | Automotive / Industrial grade | — |
| FET Type | — | N-Channel Depletion Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 120 mA |
| RDS(on) Max at VGS=0V | — | 45 Ohm |
| Power Dissipation (PD) Max | — | 1.8 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(off)) | — | Depletion mode (normally-on) |
| Диапазон рабочих температур | — | -55C to +150C |
| Число выводов | — | 4 (3 leads + drain tab) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 (per datasheets.com parametric record) |
| Lead-Free | — | Yes |