BSP125H6327XTSA1 vs BSR316PH6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSP125H6327XTSA1 por Infineon e BSR316PH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSP125H6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,38 $0,22
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSP125H6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology SIPMOS (Small Signal Power MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) 120 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) —
Encapsulamento PG-SOT223-4 (SOT-223-3 + tab) PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-23 equivalent)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -55C to +150C (TJ) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Configuration Single —
Channel Mode Enhancement —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 (Unlimited) 1
Qualification Automotive / Industrial grade Automotive
Series — OptiMOS
FET Type — P-Channel Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID) at TA — -360 mA
Continuous Drain Current (ID) at TC — [DATA_NEEDED: ID at TC specific value]
On-State Resistance RDS(on) max — 1800 mOhm at VGS = -10 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — -1.7 V typical, -2.5 V max
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total]
Power Dissipation (Tc) — 500 mW
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +150 C (junction)
Polarity — P-Channel

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação