BSP125H6327XTSA1 vs BSR316PH6327XTSA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: BSP125H6327XTSA1 제조: Infineon 및 BSR316PH6327XTSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | BSP125H6327XTSA1 | BSR316PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.38 | $0.22 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSP125H6327XTSA1 | BSR316PH6327XTSA1 |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | SIPMOS (Small Signal Power MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | -100 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 120 mA (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W (Ta) | — |
| 패키지 | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 + tab) | PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-23 equivalent) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | -55C to +150C (TJ) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Configuration | Single | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| MSL 레벨 | 1 (Unlimited) | 1 |
| Qualification | Automotive / Industrial grade | Automotive |
| Series | — | OptiMOS |
| FET Type | — | P-Channel Enhancement Mode |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | -360 mA |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | [DATA_NEEDED: ID at TC specific value] |
| On-State Resistance RDS(on) max | — | 1800 mOhm at VGS = -10 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | -1.7 V typical, -2.5 V max |
| Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Power Dissipation (Tc) | — | 500 mW |
| 동작 온도 범위 | — | -55 C to +150 C (junction) |
| Polarity | — | P-Channel |