BSP149H6327XTSA1 vs BSS316NH6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSP149H6327XTSA1 por Infineon e BSS316NH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSP149H6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,60 $0,13
Transistor Polarity N-Channel —
Mode of Operation Depletion Mode (normally ON) —
Drain-Source Voltage VDS 200 V —
Continuous Drain Current ID 660 mA (Ta) —
Power Dissipation PD 1.8 W (Ta) —
On-State Resistance RDS(on) 1 ohm (typ) —
Gate-Source Voltage VGS [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
Encapsulamento PG-SOT223-4 (SOT-223-4) PG-SOT23 (SOT-23-3)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -55 C to +150 C (Tj) —
Technology SIPMOS OptiMOS 2 (Trench)
Channel Count 1 —
Contagem de pinos 4 (G, D, S, tab) —
Status RoHS Compliant Compliant
Configuration Single —
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 1.4 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max — 160 mOhm at VGS=10V, ID=1.4A
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ — 2 V at ID=3.7 uA
Total Gate Charge (Qg) — 600 pC at VGS=5 V
Input Capacitance (Ciss) — 94 pF at VDS=15 V
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: output capacitance]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: reverse transfer capacitance]
Maximum Power Dissipation (PD) at TA=25C — 500 mW
Faixa de temperatura de junção de operação — -55 C to +150 C
Lead Plating — Pb-free (Matte Tin)
Nível MSL — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

Fichas técnicas e recursos

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