BSP149H6327XTSA1 vs BSS316NH6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSP149H6327XTSA1 von Infineon und BSS316NH6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSP149H6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,60 $0,13
Transistor Polarity N-Channel —
Mode of Operation Depletion Mode (normally ON) —
Drain-Source Voltage VDS 200 V —
Continuous Drain Current ID 660 mA (Ta) —
Power Dissipation PD 1.8 W (Ta) —
On-State Resistance RDS(on) 1 ohm (typ) —
Gate-Source Voltage VGS [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
Gehäuse PG-SOT223-4 (SOT-223-4) PG-SOT23 (SOT-23-3)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55 C to +150 C (Tj) —
Technology SIPMOS OptiMOS 2 (Trench)
Channel Count 1 —
Pin-Anzahl 4 (G, D, S, tab) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Configuration Single —
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 1.4 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max — 160 mOhm at VGS=10V, ID=1.4A
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ — 2 V at ID=3.7 uA
Total Gate Charge (Qg) — 600 pC at VGS=5 V
Input Capacitance (Ciss) — 94 pF at VDS=15 V
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: output capacitance]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: reverse transfer capacitance]
Maximum Power Dissipation (PD) at TA=25C — 500 mW
Betriebs-Sperrschichttemperaturbereich — -55 C to +150 C
Lead Plating — Pb-free (Matte Tin)
MSL-Level — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

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