BSP316PH6327XTSA1 vs BSS192PH6327FTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSP316PH6327XTSA1 por Infineon e BSS192PH6327FTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSP316PH6327XTSA1 BSS192PH6327FTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,21 $0,34
FET Type P-Channel P-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) -100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -680 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C 1.8 W —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Encapsulamento PG-SOT223-4 (TO-261-4) PG-SOT89 (SOT-89-3, 4-pin 3+Tab)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C (junction) [DATA_NEEDED: Tj max / operating temp]
Número de pinos 3 + thermal tab —
Channel Mode Enhancement —
Technology SIPMOS (P-channel MOSFET) MOSFET (Metal Oxide)
Status RoHS Compliant [DATA_NEEDED: explicit RoHS status from datasheet]
Nível MSL 1 —
Packaging Tape & Reel (H6327 suffix) —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 250 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 190 mA (Ta)
Power Dissipation (Pd) — 1 W (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 2.8 V, 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs — [DATA_NEEDED: Rds On max @ Vgs]
Vgs(th) (Max) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage max]
Vgs(th) (Typ) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage typ]
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per distributor listing)
Series — SIPMOS Small-Signal-Transistor
Part Status — Active

Fichas técnicas e recursos

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