BSP316PH6327XTSA1 vs BSS192PH6327FTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSP316PH6327XTSA1 von Infineon und BSS192PH6327FTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSP316PH6327XTSA1 BSS192PH6327FTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,21 $0,34
FET Type P-Channel P-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) -100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -680 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C 1.8 W —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Gehäuse PG-SOT223-4 (TO-261-4) PG-SOT89 (SOT-89-3, 4-pin 3+Tab)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55 C to +150 C (junction) [DATA_NEEDED: Tj max / operating temp]
Anzahl der Pins 3 + thermal tab —
Channel Mode Enhancement —
Technology SIPMOS (P-channel MOSFET) MOSFET (Metal Oxide)
RoHS-Status Compliant [DATA_NEEDED: explicit RoHS status from datasheet]
MSL-Level 1 —
Packaging Tape & Reel (H6327 suffix) —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 250 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 190 mA (Ta)
Power Dissipation (Pd) — 1 W (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 2.8 V, 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs — [DATA_NEEDED: Rds On max @ Vgs]
Vgs(th) (Max) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage max]
Vgs(th) (Typ) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage typ]
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per distributor listing)
Series — SIPMOS Small-Signal-Transistor
Part Status — Active

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