BSS138LT1G vs BSS138L Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSS138LT1G por onsemi e BSS138L por onsemi. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSS138LT1G BSS138L
Marca onsemi onsemi
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,08 $0,02
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 50 V —
Continuous Drain Current (ID) 200 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 225 mW (Ta) —
On-Resistance Max (RDS(on)) 3.5 ohm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Gate-Source Voltage Max (VGS) [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage] —
Configuration Single FET Single FET
Channel Mode Enhancement Mode —
Encapsulamento SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Status RoHS Compliant (RoHS Compliant and Pb-free per Easybom) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Product Family BSS138LT Series Small Signal MOSFET —
Typical Applications Computers, printers, cordless phones, DC-DC converters —
Polarity — N-Channel
Operating Mode — Enhancement Mode
VDS Drain-Source Voltage — 50 V
Continuous Drain Current (Ta) — 200 mA
Power Dissipation (Ta) — 350 mW
RDS(on) Max — 3.5 ohm
Technology — Trench MOSFET, high cell density
Gate Type — Logic Level
Switching Performance — Fast switching, rugged, reliable
Capacitância de entrada — [DATA_NEEDED: Ciss]
VGS Gate-Source Voltage — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Faixa de temperatura de operação — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Packaging — 3000 units per reel (tape and reel)

Fichas técnicas e recursos

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