BSS138LT1G vs BSS138L 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSS138LT1G 제조: onsemi 및 BSS138L 제조: onsemi. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 BSS138LT1G BSS138L
브랜드 onsemi onsemi
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.08 $0.02
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 50 V —
Continuous Drain Current (ID) 200 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 225 mW (Ta) —
On-Resistance Max (RDS(on)) 3.5 ohm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Gate-Source Voltage Max (VGS) [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage] —
Configuration Single FET Single FET
Channel Mode Enhancement Mode —
패키지 SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS 상태 Compliant (RoHS Compliant and Pb-free per Easybom) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Product Family BSS138LT Series Small Signal MOSFET —
Typical Applications Computers, printers, cordless phones, DC-DC converters —
Polarity — N-Channel
Operating Mode — Enhancement Mode
VDS Drain-Source Voltage — 50 V
Continuous Drain Current (Ta) — 200 mA
Power Dissipation (Ta) — 350 mW
RDS(on) Max — 3.5 ohm
Technology — Trench MOSFET, high cell density
Gate Type — Logic Level
Switching Performance — Fast switching, rugged, reliable
입력 커패시턴스 — [DATA_NEEDED: Ciss]
VGS Gate-Source Voltage — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
동작 온도 범위 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Packaging — 3000 units per reel (tape and reel)

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