BSS192PH6327FTSA1 vs BSD214SNH6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSS192PH6327FTSA1 por Infineon e BSD214SNH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSS192PH6327FTSA1 BSD214SNH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,34 $0,27
FET Type P-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 250 V 20 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C 190 mA (Ta) —
Power Dissipation (Pd) 1 W (Ta) —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.8 V, 10 V —
Rds On (Max) @ Id, Vgs [DATA_NEEDED: Rds On max @ Vgs] —
Vgs(th) (Max) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage max] —
Vgs(th) (Typ) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage typ] —
Encapsulamento PG-SOT89 (SOT-89-3, 4-pin 3+Tab) SOT-363 (PG-SOT363-PO), 6-pin
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: Tj max / operating temp] -55C to +150C (junction)
Automotive Qualification AEC-Q101 (per distributor listing) AEC-Q101 qualified
Series SIPMOS Small-Signal-Transistor —
Part Status Active —
Status RoHS [DATA_NEEDED: explicit RoHS status from datasheet] Compliant
Continuous Drain Current (Id) at 25C — 1.5 A
Power Dissipation (Pd) at Ta — 500 mW
Gate Drive Voltage (Rds On rated) — 2.5 V, 4.5 V
Rds On (Max) @ Vgs=4.5V — [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=4.5V]
Rds On (Max) @ Vgs=2.5V — [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=2.5V]
Vgs(th) (typical) — [DATA_NEEDED: Vgs threshold typical]
Lead Plating — Pb-free
Nível MSL — 1
Standard Pack Quantity — 3000 (Tape & Reel)

Fichas técnicas e recursos

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