BSS192PH6327FTSA1 vs BSD214SNH6327XTSA1 比較

詳細な並列比較: BSS192PH6327FTSA1 メーカー: Infineon および BSD214SNH6327XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 - P-Ch 250V 190mA MOSFET SOT-89 | Infineon

BSS192PH6327FTSA1 - P-Ch 250V 190mA MOSFET SOT-89 | Infineon

BSS192PH6327FTSA1 ✓ 生産中
Infineon
BSD214SNH6327XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1 - 20V N-Ch OptiMOS 1.5A | Infineon SOT-363

BSD214SNH6327XTSA1 - 20V N-Ch OptiMOS 1.5A | Infineon SOT-363

BSD214SNH6327XTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSS192PH6327FTSA1 BSD214SNH6327XTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.34 $0.27
FET Type P-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 250 V 20 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C 190 mA (Ta) —
Power Dissipation (Pd) 1 W (Ta) —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.8 V, 10 V —
Rds On (Max) @ Id, Vgs [DATA_NEEDED: Rds On max @ Vgs] —
Vgs(th) (Max) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage max] —
Vgs(th) (Typ) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage typ] —
パッケージ PG-SOT89 (SOT-89-3, 4-pin 3+Tab) SOT-363 (PG-SOT363-PO), 6-pin
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: Tj max / operating temp] -55C to +150C (junction)
Automotive Qualification AEC-Q101 (per distributor listing) AEC-Q101 qualified
Series SIPMOS Small-Signal-Transistor —
Part Status Active —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: explicit RoHS status from datasheet] Compliant
Continuous Drain Current (Id) at 25C — 1.5 A
Power Dissipation (Pd) at Ta — 500 mW
Gate Drive Voltage (Rds On rated) — 2.5 V, 4.5 V
Rds On (Max) @ Vgs=4.5V — [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=4.5V]
Rds On (Max) @ Vgs=2.5V — [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=2.5V]
Vgs(th) (typical) — [DATA_NEEDED: Vgs threshold typical]
Lead Plating — Pb-free
MSLレベル — 1
Standard Pack Quantity — 3000 (Tape & Reel)

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼