BSS192PH6327FTSA1 vs BSL308PEH6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSS192PH6327FTSA1 por Infineon e BSL308PEH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 - 30V 2A Dual P-Ch MOSFET | Infineon

BSL308PEH6327XTSA1 - 30V 2A Dual P-Ch MOSFET | Infineon

BSL308PEH6327XTSA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BSS192PH6327FTSA1 BSL308PEH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,34 $0,21
FET Type P-Channel 2x P-Channel (Dual)
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 250 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C 190 mA (Ta) —
Power Dissipation (Pd) 1 W (Ta) —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.8 V, 10 V —
Rds On (Max) @ Id, Vgs [DATA_NEEDED: Rds On max @ Vgs] —
Vgs(th) (Max) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage max] —
Vgs(th) (Typ) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage typ] —
Encapsulamento PG-SOT89 (SOT-89-3, 4-pin 3+Tab) PG-TSOP6-6 (TSOT-23-6)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: Tj max / operating temp] —
Automotive Qualification AEC-Q101 (per distributor listing) AEC-Q101
Series SIPMOS Small-Signal-Transistor OptiMOS
Part Status Active —
Status RoHS [DATA_NEEDED: explicit RoHS status from datasheet] Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Drain-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) — -2 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
Configuration — Dual, common source
Temperatura de operação — -55 C to +150 C (TJ)
Número de pinos — 6
Channel Mode — Enhancement
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V / 4.5V]

Fichas técnicas e recursos

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