BSS192PH6327FTSA1 vs BSL308PEH6327XTSA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSS192PH6327FTSA1 제조: Infineon 및 BSL308PEH6327XTSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 - P-Ch 250V 190mA MOSFET SOT-89 | Infineon

BSS192PH6327FTSA1 - P-Ch 250V 190mA MOSFET SOT-89 | Infineon

BSS192PH6327FTSA1 ✓ 활성
Infineon
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 - 30V 2A Dual P-Ch MOSFET | Infineon

BSL308PEH6327XTSA1 - 30V 2A Dual P-Ch MOSFET | Infineon

BSL308PEH6327XTSA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSS192PH6327FTSA1 BSL308PEH6327XTSA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.34 $0.21
FET Type P-Channel 2x P-Channel (Dual)
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 250 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C 190 mA (Ta) —
Power Dissipation (Pd) 1 W (Ta) —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.8 V, 10 V —
Rds On (Max) @ Id, Vgs [DATA_NEEDED: Rds On max @ Vgs] —
Vgs(th) (Max) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage max] —
Vgs(th) (Typ) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage typ] —
패키지 PG-SOT89 (SOT-89-3, 4-pin 3+Tab) PG-TSOP6-6 (TSOT-23-6)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 [DATA_NEEDED: Tj max / operating temp] —
Automotive Qualification AEC-Q101 (per distributor listing) AEC-Q101
Series SIPMOS Small-Signal-Transistor OptiMOS
Part Status Active —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: explicit RoHS status from datasheet] Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Drain-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) — -2 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
Configuration — Dual, common source
동작 온도 — -55 C to +150 C (TJ)
핀 수 — 6
Channel Mode — Enhancement
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V / 4.5V]

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