BSS316NH6327XTSA1 vs IRLML6346TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSS316NH6327XTSA1 por Infineon e IRLML6346TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSS316NH6327XTSA1 IRLML6346TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,13 $0,18
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Technology OptiMOS 2 (Trench) HEXFET Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max 160 mOhm at VGS=10V, ID=1.4A —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ 2 V at ID=3.7 uA —
Total Gate Charge (Qg) 600 pC at VGS=5 V —
Input Capacitance (Ciss) 94 pF at VDS=15 V —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: output capacitance] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: reverse transfer capacitance] —
Maximum Power Dissipation (PD) at TA=25C 500 mW —
Faixa de temperatura de junção de operação -55 C to +150 C —
Encapsulamento PG-SOT23 (SOT-23-3) Micro3 / SOT-23
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Lead Plating Pb-free (Matte Tin) —
Nível MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Status RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) — 3.4 A (TA=25C)
RDS(on) max @ VGS=2.5V — 63 mOhm
RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Drive Capability — 2.5V logic-level
Maximum Power Dissipation (PD) — 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4)
Temperatura de junção de operação — -55C to +150C
Lead-Free Finish — Yes (PBF suffix)

Fichas técnicas e recursos

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