BSS316NH6327XTSA1 vs IRLML6346TRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSS316NH6327XTSA1 von Infineon und IRLML6346TRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSS316NH6327XTSA1 IRLML6346TRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,13 $0,18
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Technology OptiMOS 2 (Trench) HEXFET Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max 160 mOhm at VGS=10V, ID=1.4A —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ 2 V at ID=3.7 uA —
Total Gate Charge (Qg) 600 pC at VGS=5 V —
Input Capacitance (Ciss) 94 pF at VDS=15 V —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: output capacitance] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: reverse transfer capacitance] —
Maximum Power Dissipation (PD) at TA=25C 500 mW —
Betriebs-Sperrschichttemperaturbereich -55 C to +150 C —
Gehäuse PG-SOT23 (SOT-23-3) Micro3 / SOT-23
Montageart Surface Mount Surface Mount
Lead Plating Pb-free (Matte Tin) —
MSL-Level MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1
RoHS-Status Compliant Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) — 3.4 A (TA=25C)
RDS(on) max @ VGS=2.5V — 63 mOhm
RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Drive Capability — 2.5V logic-level
Maximum Power Dissipation (PD) — 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4)
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55C to +150C
Lead-Free Finish — Yes (PBF suffix)

Datenblätter & Ressourcen

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