EP4CE15F1717N vs EP4CE10E22C8N Comparação
Comparação detalhada lado a lado de EP4CE15F1717N por Intel e EP4CE10E22C8N por Intel. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | EP4CE15F1717N | EP4CE10E22C8N |
|---|---|---|
| Marca | Intel | Intel |
| Categoria | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $35,20 | $11,10 |
| Series | Cyclone IV E | Cyclone IV E |
| Logic Elements (LE) | 15,408 | 10,320 |
| Embedded Memory | 516,096 bits (56 M9K blocks) | — |
| Embedded 18x18 Multipliers | 56 | — |
| Maximum User I/Os | 165 | — |
| PLLs | 4 | — |
| Global Clock Networks | 20 | — |
| Process Technology | 60 nm low-power | 60 nm low-power |
| Core Voltage (VCCINT) | 1.0 V / 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VCCIO) | 1.2 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.0 V / 3.3 V | — |
| Temperatura de operação | 0C to +85C (commercial "N" suffix) | 0C to +85C |
| Encapsulamento | 256-ball F-BGA (FBGA-256) | 144-LQFP Exposed Pad (E22) |
| Package Pitch | 1.0 mm | — |
| LVDS Performance | Up to 343 Mbps | — |
| Speed Grade | 7 | 8 |
| Configuration Mode | External serial/parallel flash (volatile SRAM) | JTAG / AS / AP / PS |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Nível MSL | 3 (168 hours) | — |
| Family | — | EP4CE10 |
| Embedded Memory (M9K blocks) | — | 46 |
| Embedded Memory (total) | — | 414 Kbit |
| Maximum User I/O | — | 91 |
| Número de pinos | — | 144 |
| Temperature Grade | — | Commercial (C) |
| PLL Count | — | 2 |
| Supply Voltage (Core) | — | 1.0 V to 1.2 V |
| Tipo de montagem | — | Surface Mount |
| Lead-Free | — | Yes |