FQP50N06 vs IRF1010ESTRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de FQP50N06 por onsemi e IRF1010ESTRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF - 60V 84A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF1010ESTRLPBF - 60V 84A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF1010ESTRLPBF ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro FQP50N06 IRF1010ESTRLPBF
Marca onsemi Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,58 $0,00
Manufacturer onsemi (formerly Fairchild Semiconductor) —
Part Number FQP50N06 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology Planar Stripe DMOS HEXFET planar
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum Power Dissipation (PD) at Tc 120 W —
On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V [DATA_NEEDED: Rds(on) max] —
On-Resistance Rds(on) typical at VGS=10V 0.022 ohm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] 86.6 nC
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (junction) —
Encapsulamento TO-220-3 (through-hole) D2PAK (TO-263)
Tipo de montagem Through Hole Surface Mount
Channel Mode Enhancement —
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc — 84 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 200 W
On-Resistance (RDS on) @ VGS=10V — 12 mOhm
Operating Mode — Enhancement
Drive Voltage — 10 V (standard level)
Qualification — JEDEC standard qualified
Structure — Planar cell (wide SOA)
Avalanche Testing — 100% avalanche energy tested
Sourcing — Multi-vendor, broad distribution availability
Pb-Free / RoHS — PBF (Pb-free) suffix

Fichas técnicas e recursos

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