H5AN4G6NBJR-PBC vs H5AN4G6NBJR-UHC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN4G6NBJR-PBC por SK hynix e H5AN4G6NBJR-UHC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN4G6NBJR-PBC H5AN4G6NBJR-UHC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $6,60 $8,09
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 4 Gbit —
Organização da memória 256M x 16 (268435456 words x 16 bits) 256M x 16
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.14 V to 1.26 V
Interface DDR4 (double data rate, synchronous) —
Package Code TFBGA —
Encapsulamento FBGA-96 (PBGA96), rectangular FBGA-96 (PBGA-96)
Number of Terminals 96 —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Recursos Auto self-refresh, data mask, asynchronous reset, dynamic ODT, ZQ calibration, write leveling, CRC —
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: temperature range for -C grade] -40C to +95C
Data Rate / Speed Grade [DATA_NEEDED: speed grade PBC data rate] —
Latência CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade] —
Process CMOS —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per family datasheet, Lead-Free & Halogen-Free) —
Temperature Grade OTHER (per distributor listing) —
Tamanho da memória — 4 Gbit
Clock Frequency — 1.6 GHz
Technology — CMOS
Self Refresh — Auto self-refresh
Data Mask Function — Yes (DM)
Asynchronous Reset — Yes (RESET_n)
On-Die Termination — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes (command/address CRC)
Status RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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