H5AN4G6NBJR-PBC vs H5AN4G6NBJR-UHC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G6NBJR-PBC par SK hynix et H5AN4G6NBJR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre H5AN4G6NBJR-PBC H5AN4G6NBJR-UHC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $6,60 $8,09
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 4 Gbit —
Organisation de la mémoire 256M x 16 (268435456 words x 16 bits) 256M x 16
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.14 V to 1.26 V
Interface DDR4 (double data rate, synchronous) —
Package Code TFBGA —
Boîtier FBGA-96 (PBGA96), rectangular FBGA-96 (PBGA-96)
Number of Terminals 96 —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Caractéristiques Auto self-refresh, data mask, asynchronous reset, dynamic ODT, ZQ calibration, write leveling, CRC —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: temperature range for -C grade] -40C to +95C
Data Rate / Speed Grade [DATA_NEEDED: speed grade PBC data rate] —
Latence CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade] —
Process CMOS —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per family datasheet, Lead-Free & Halogen-Free) —
Temperature Grade OTHER (per distributor listing) —
Taille de mémoire — 4 Gbit
Clock Frequency — 1.6 GHz
Technology — CMOS
Self Refresh — Auto self-refresh
Data Mask Function — Yes (DM)
Asynchronous Reset — Yes (RESET_n)
On-Die Termination — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes (command/address CRC)
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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