H5AN4G8NBJR-PBC vs H5AN4G8NBJR-VKC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN4G8NBJR-PBC por SK hynix e H5AN4G8NBJR-VKC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKC H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN4G8NBJR-PBC H5AN4G8NBJR-VKC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,20 $2,40
Memory Density 4 Gbit —
Organização da memória 512M x 8 —
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tipo de interface Parallel, JEDEC DDR4 —
Supply Voltage VDD 1.2 V —
Supply Voltage VDDQ 1.2 V —
Speed Grade PBC —
Clock Frequency [DATA_NEEDED: Clock Frequency] —
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Encapsulamento 78-ball FBGA FBGA-78 (7.5 x 11 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Normal Operating Case Temperature 0C to 85C —
Extended Temperature Range up to 95C case (with increased refresh) —
Lead Free Yes —
Livre de halogênio Yes —
Refresh 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC [DATA_NEEDED: refresh rate]
Tamanho da memória — 4 Gb
Memory Organization — 512M x8
Taxa de dados — 2666 Mbps (DDR4-2666)
Memory Interface — Parallel
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Technology — CMOS DRAM
Volatile / Non-Volatile — Volatile
Temperatura de operação — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Latência CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade]
Status RoHS — Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet)
Packaging — Tray
Status do ciclo de vida — Active

Fichas técnicas e recursos

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