H5AN4G8NBJR-PBC vs H5AN4G8NBJR-VKC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок H5AN4G8NBJR-PBC от SK hynix и H5AN4G8NBJR-VKC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | H5AN4G8NBJR-PBC | H5AN4G8NBJR-VKC |
|---|---|---|
| Бренд | SK hynix | SK hynix |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,20 | $2,40 |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| Организация памяти | 512M x 8 | — |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Тип интерфейса | Parallel, JEDEC DDR4 | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| Supply Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| Speed Grade | PBC | — |
| Clock Frequency | [DATA_NEEDED: Clock Frequency] | — |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Корпус | 78-ball FBGA | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Normal Operating Case Temperature | 0C to 85C | — |
| Extended Temperature Range | up to 95C case (with increased refresh) | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Без галогенов | Yes | — |
| Refresh | 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| Размер памяти | — | 4 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x8 |
| Скорость передачи данных | — | 2666 Mbps (DDR4-2666) |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Technology | — | CMOS DRAM |
| Volatile / Non-Volatile | — | Volatile |
| Рабочая температура | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Задержка CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] |
| Статус RoHS | — | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) |
| Packaging | — | Tray |
| Статус жизненного цикла | — | Active |