H5ANAG4NBJR-UHC vs H5AN4G6NBJR-UHC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5ANAG4NBJR-UHC por SK hynix e H5AN4G6NBJR-UHC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro H5ANAG4NBJR-UHC H5AN4G6NBJR-UHC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria DRAM Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $8,09 $8,09
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit —
Organização da memória 256M x16 256M x 16
Supply Voltage (VDD) 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) 1.14 V to 1.26 V
Clock / Data Rate 1.6 GHz —
Encapsulamento FBGA-96 (PBGA96) FBGA-96 (PBGA-96)
Temperatura de operação -40C to +95C -40C to +95C
Interface CMOS, DDR4 (double data rate) —
Data Mask (DM) Yes —
Asynchronous Reset Yes Yes (RESET_n)
On-Die Termination (ODT) Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes Yes
Write Leveling Yes Yes
CRC Function Yes Yes (command/address CRC)
Auto Self-Refresh Yes —
Tipo de montagem Surface Mount (BGA) Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Latência CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency / speed bin detail] —
Tamanho da memória — 4 Gbit
Clock Frequency — 1.6 GHz
Technology — CMOS
Self Refresh — Auto self-refresh
Data Mask Function — Yes (DM)
On-Die Termination — Dynamic ODT

Fichas técnicas e recursos

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