H5ANAG4NBJR-UHC vs H5AN4G6NBJR-UHC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG4NBJR-UHC par SK hynix et H5AN4G6NBJR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG4NBJR-UHC H5AN4G6NBJR-UHC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie DRAM Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $8,09 $8,09
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit —
Organisation de la mémoire 256M x16 256M x 16
Supply Voltage (VDD) 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) 1.14 V to 1.26 V
Clock / Data Rate 1.6 GHz —
Boîtier FBGA-96 (PBGA96) FBGA-96 (PBGA-96)
Température de fonctionnement -40C to +95C -40C to +95C
Interface CMOS, DDR4 (double data rate) —
Data Mask (DM) Yes —
Asynchronous Reset Yes Yes (RESET_n)
On-Die Termination (ODT) Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes Yes
Write Leveling Yes Yes
CRC Function Yes Yes (command/address CRC)
Auto Self-Refresh Yes —
Type de montage Surface Mount (BGA) Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Latence CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency / speed bin detail] —
Taille de mémoire — 4 Gbit
Clock Frequency — 1.6 GHz
Technology — CMOS
Self Refresh — Auto self-refresh
Data Mask Function — Yes (DM)
On-Die Termination — Dynamic ODT

Fiches techniques et ressources

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