H5ANAG8NBJR-RDC vs H5ANAG8NBJR-VKC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5ANAG8NBJR-RDC por SK hynix e H5ANAG8NBJR-VKC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5ANAG8NBJR-RDC H5ANAG8NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 2666 | SK hynix

H5ANAG8NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 2666 | SK hynix

H5ANAG8NBJR-RDC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5ANAG8NBJR-RDC H5ANAG8NBJR-VKC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria DRAM Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,55 $8,60
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit 16 Gbit
Organização da memória 2G x 8 2G x 8
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Interface SSTL12 —
Speed Grade (suffix R) DDR4-2666 class —
Encapsulamento 78-ball FBGA FBGA-78
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Refresh Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms class per family datasheet) —
Bank Groups 4 (per 16Gb DDR4 family datasheet) —
Data Strobe DQS with read/write training —
Data Bus Inversion Supported (DBI) —
Latência CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] 0C to +85C
Status RoHS Compliant (lead-free PBGA per family product data) Compliant, Lead-Free and Halogen-Free
Status do ciclo de vida Active —
Speed Grade — DDR4-2666 (2666 Mbps/pin)
Tensão de alimentação — 1.14 V to 1.26 V (VDDQ)
Clock Frequency — 1.6 GHz (internal interface per distributor data)
Standby Current — 30 mA (operating, per distributor listing)
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
Asynchronous Reset — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Auto Precharge — Yes
Refresh Interval — [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval]

Fichas técnicas e recursos

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