H5ANAG8NBJR-RDC vs H5ANAG8NBJR-VKC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG8NBJR-RDC par SK hynix et H5ANAG8NBJR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5ANAG8NBJR-RDC H5ANAG8NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 2666 | SK hynix

H5ANAG8NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 2666 | SK hynix

H5ANAG8NBJR-RDC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG8NBJR-RDC H5ANAG8NBJR-VKC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie DRAM Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,55 $8,60
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit 16 Gbit
Organisation de la mémoire 2G x 8 2G x 8
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Interface SSTL12 —
Speed Grade (suffix R) DDR4-2666 class —
Boîtier 78-ball FBGA FBGA-78
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Refresh Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms class per family datasheet) —
Bank Groups 4 (per 16Gb DDR4 family datasheet) —
Data Strobe DQS with read/write training —
Data Bus Inversion Supported (DBI) —
Latence CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] 0C to +85C
Statut RoHS Compliant (lead-free PBGA per family product data) Compliant, Lead-Free and Halogen-Free
Statut du cycle de vie Active —
Speed Grade — DDR4-2666 (2666 Mbps/pin)
Tension d'alimentation — 1.14 V to 1.26 V (VDDQ)
Clock Frequency — 1.6 GHz (internal interface per distributor data)
Standby Current — 30 mA (operating, per distributor listing)
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
Asynchronous Reset — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Auto Precharge — Yes
Refresh Interval — [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval]

Fiches techniques et ressources

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