H5TC4G63CFR-XXJ vs K4B4G1646E-BYMA Comparação
Comparação detalhada lado a lado de H5TC4G63CFR-xxJ por SK hynix e K4B4G1646E-BYMA por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | H5TC4G63CFR-xxJ | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $5,90 | $14,32 |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organização da memória | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V + 0.100 / - 0.067V | — |
| Clock Input | Fully differential (CK, CK#) | — |
| Data Strobe | Differential (DQS, DQS#) | — |
| On-Chip DLL | Yes | — |
| DM Mask | Yes | — |
| Encapsulamento | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| Faixa de temperatura de operação | 0°C to 95°C (case) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Livre de halogênio | Yes | — |
| Speed Grade | [DATA_NEEDED: speed grade for -xxJ suffix] | — |
| Latência CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency options] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| Tensão de alimentação | — | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Taxa de dados | — | 1866 Mbps/pin |
| Temperatura de operação | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Tipo de montagem | — | Surface Mount |
| Número de pinos | — | 96 |